波蘭知名存儲(chǔ)模組品牌Goodram，通過(guò)其旗下子品牌IRDM，宣布推出一款全新的固態(tài)硬盤(pán)——IRDM PRO GEN 5。這款固態(tài)硬盤(pán)以其對(duì)PCIe 5.0規(guī)范的支持而備受矚目。

IRDM PRO GEN 5固態(tài)硬盤(pán)采用M.2 2280的外形規(guī)格，并符合最新的NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)。它基于高效的群聯(lián)PS5026-E26主控，并配備了未公布具體型號(hào)的3D TLC NAND閃存技術(shù)。該固態(tài)硬盤(pán)還通過(guò)外置DRAM緩存來(lái)進(jìn)一步提升性能，提供1TB、2TB和4TB三種不同的存儲(chǔ)容量選項(xiàng)，以滿足不同用戶的需求。

在性能方面，IRDM PRO GEN 5展現(xiàn)出令人印象深刻的實(shí)力。根據(jù)官方數(shù)據(jù)，該固態(tài)硬盤(pán)的順序讀取速度可達(dá)11500至12000MB/s，而順序?qū)懭胨俣葎t介于9000至11000MB/s之間。同時(shí)，其隨機(jī)讀取和寫(xiě)入性能也相當(dāng)出色，分別可達(dá)130K至140K IOPS和穩(wěn)定的140K IOPS。這些性能指標(biāo)不僅證明了IRDM PRO GEN 5在高速數(shù)據(jù)傳輸方面的優(yōu)勢(shì)，還顯示出它在處理大量隨機(jī)讀寫(xiě)請(qǐng)求時(shí)的卓越能力。

盡管IRDM PRO GEN 5并非全速PCIe 5.0×4 SSD，但其性能仍然達(dá)到了12GB/s的級(jí)別，相較于PCIe 4.0固態(tài)硬盤(pán)，在隨機(jī)性能方面提升了約40%。這一顯著提升將為專(zhuān)業(yè)用戶和高性能計(jì)算環(huán)境帶來(lái)更為流暢和高效的存儲(chǔ)體驗(yàn)。

為了確保固態(tài)硬盤(pán)的穩(wěn)定運(yùn)行和持久耐用，Goodram為IRDM PRO GEN 5提供了長(zhǎng)達(dá)5年的質(zhì)保服務(wù)。該產(chǎn)品還采用了創(chuàng)新的Graphreeze冷卻技術(shù)，通過(guò)在核心芯片上覆蓋由雙層石墨烯涂層構(gòu)成的超薄散熱片，有效提升了散熱性能。這種設(shè)計(jì)不僅保證了固態(tài)硬盤(pán)在高負(fù)載運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性，還與外部散熱器完全兼容，進(jìn)一步增強(qiáng)了散熱效果。