英飛凌近日在硅功率晶圓技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功研發(fā)出史上最薄的硅功率晶圓。這一創(chuàng)新成果不僅提升了技術(shù)性能，還為未來(lái)功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

新研發(fā)的晶圓直徑為30mm，厚度僅為20μm，相當(dāng)于傳統(tǒng)晶圓厚度的一半，極大地降低了基板電阻和功率損耗。

超薄晶圓技術(shù)的應(yīng)用，特別是在高端AI服務(wù)器領(lǐng)域，對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換具有重要意義。它促進(jìn)了垂直功率傳輸設(shè)計(jì)的發(fā)展，提高了整體效率。

英飛凌的這一技術(shù)已獲得市場(chǎng)認(rèn)可，并已成功應(yīng)用于其集成智能功率級(jí)產(chǎn)品中，交付給了首批客戶。

據(jù)悉，英飛凌將在2024年慕尼黑國(guó)際電子元器件博覽會(huì)上公開(kāi)展示這款超薄硅晶圓。