美光科技近期宣布了一項重大進(jìn)展,他們已經(jīng)向生態(tài)合作伙伴及部分客戶提供了基于1γ節(jié)點、第六代DRAM技術(shù)的DDR5內(nèi)存樣品。這一節(jié)點的技術(shù)被界定在10nm級別,標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)的又一次飛躍。
據(jù)悉,采用1γ節(jié)點的16Gb DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,在速度上實現(xiàn)了顯著的提升,達(dá)到了驚人的9200MT/s,相較于上一代產(chǎn)品,性能提高了15%。這一突破性的速度提升,使得DDR5內(nèi)存能夠更好地滿足數(shù)據(jù)中心以及端側(cè)AI設(shè)備對高性能計算能力的迫切需求。
在技術(shù)層面,美光科技的1γ節(jié)點引入了新一代高K金屬柵極CMOS技術(shù),這一創(chuàng)新不僅優(yōu)化了設(shè)計,還使得功耗降低了超過20%。同時,熱管理性能也得到了顯著改善,這對于長時間高負(fù)荷運行的設(shè)備來說,無疑是一個巨大的福音。
美光科技還通過極紫外光刻(EUV)技術(shù)與工藝創(chuàng)新,實現(xiàn)了比特密度的大幅提升,超過30%的增長率使得內(nèi)存供應(yīng)效率得到了有效提升。這意味著在相同的物理空間內(nèi),可以存儲更多的數(shù)據(jù),從而提升了整體系統(tǒng)的性能。
這些技術(shù)創(chuàng)新不僅提升了內(nèi)存的性能和效率,也為未來的技術(shù)發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著數(shù)據(jù)中心和AI設(shè)備的日益普及,對高性能內(nèi)存的需求也將持續(xù)增長,美光科技的這一進(jìn)步無疑將引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展潮流。