半導體設備領域的領軍企業(yè)泛林集團（Lam Research）近日在美國加州宣布了一項重大創(chuàng)新，正式推出了全球首款采用鉬（Mo）原子層沉積（ALD）技術的設備——ALTUS Halo。這款設備已經(jīng)在邏輯半導體和3D NAND領域獲得了初步應用，標志著半導體工藝的一次重要突破。

ALTUS Halo的問世，為半導體行業(yè)帶來了新的解決方案。在過去二十多年的半導體工藝中，鎢（W）因其卓越的溝槽填充能力在金屬布線元器件互聯(lián)中占據(jù)主導地位。然而，隨著半導體技術的不斷進步，鎢電阻較高的缺點逐漸凸顯，使得尋找替代材料成為行業(yè)關注的焦點。而鉬憑借其在溝槽填充和電阻兩方面的優(yōu)異表現(xiàn)，逐漸成為了布線工藝的新選擇。ALTUS Halo正是針對這一需求而設計的，它能夠向半導體中注入鉬，從而解決現(xiàn)有工藝中的瓶頸問題。

泛林集團的高級副總裁兼全球產(chǎn)品集團總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo是基于泛林深厚的金屬化專業(yè)知識而誕生的，是原子層沉積領域二十多年來最重要的突破之一。該設備將泛林獨有的四站模塊架構(gòu)與ALD技術的新進展相結(jié)合，實現(xiàn)了工程化的低電阻率鉬沉積，滿足了新興和未來芯片變化的關鍵要求，包括千層3D NAND、4F2 DRAM以及先進的GAA邏輯電路。

美光公司負責NAND開發(fā)的副總裁Mark Kiehlbauch也對ALTUS Halo表示了高度認可。他指出，鉬金屬化的集成使得美光能夠在最新一代NAND產(chǎn)品中率先推出業(yè)界領先的I/O帶寬和存儲容量。而泛林的ALTUS Halo設備正是使美光能夠?qū)f投入量產(chǎn)的關鍵因素。

除了ALTUS Halo之外，泛林集團還同期推出了一款名為Akara的等離子體蝕刻設備。這款設備采用了固態(tài)等離子體源，生成的等離子體響應速度提升了百倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，能夠形成復雜的3D結(jié)構(gòu)。這一創(chuàng)新技術將為半導體工藝的進一步發(fā)展提供有力支持。