近期，半導(dǎo)體行業(yè)的兩大知名分析機(jī)構(gòu)TechInsights與SemiWiki聯(lián)合發(fā)布了一項(xiàng)深度分析，揭示了英特爾即將推出的Intel 18A工藝（接近1.8納米級別）與臺積電N2工藝（2納米級別）的詳細(xì)對比。分析指出，盡管臺積電N2工藝在晶體管密度上表現(xiàn)出色，但I(xiàn)ntel 18A工藝在性能方面占據(jù)優(yōu)勢。

根據(jù)TechInsights的詳細(xì)數(shù)據(jù)，臺積電N2工藝的高密度標(biāo)準(zhǔn)單元（HD）晶體管密度高達(dá)313 MTr/mm2，這一數(shù)字顯著超過了Intel 18A工藝的238 MTr/mm2，以及三星SF2/SF3P工藝的231 MTr/mm2。然而，值得注意的是，現(xiàn)代高性能處理器通常會混合使用高密度、高性能和低功耗標(biāo)準(zhǔn)單元，而關(guān)于Intel和臺積電在這兩種其他類型標(biāo)準(zhǔn)單元上的具體表現(xiàn)，目前尚缺乏詳盡的對比數(shù)據(jù)。

TechInsights進(jìn)一步指出，盡管臺積電N2工藝在HD標(biāo)準(zhǔn)單元上擁有晶體管密度的優(yōu)勢，但在其他類型的標(biāo)準(zhǔn)單元上，其優(yōu)勢可能并不明顯。而在性能方面，Intel 18A工藝預(yù)計將超越臺積電的N2工藝以及三星的SF2工藝。然而，TechInsights的評估方法也引發(fā)了一些爭議，因?yàn)槠洳捎昧伺_積電的N16FF和三星的14nm工藝作為基準(zhǔn)，并結(jié)合了兩家公司公布的節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)的性能改進(jìn)進(jìn)行預(yù)測，這種方法的準(zhǔn)確性受到了一定的質(zhì)疑。

Intel 18A工藝的一大亮點(diǎn)是支持PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)，這一技術(shù)可能會使其在性能和晶體管密度上相對于不支持該技術(shù)的臺積電N2工藝更具優(yōu)勢。然而，值得注意的是，并非所有采用18A工藝的芯片都會使用PowerVia技術(shù)。

英特爾方面透露，他們計劃在2025年年中開始量產(chǎn)Intel 18A工藝，首批產(chǎn)品將是Core Ultra 3系列“Panther Lake”處理器。而臺積電方面則表示，N2工藝預(yù)計將在2025年底開始大規(guī)模生產(chǎn)，首批產(chǎn)品預(yù)計最早將于2026年年中上市，面向大眾市場的產(chǎn)品則可能要到2026年秋季才會推出。至于三星，他們尚未公布SF2工藝的具體量產(chǎn)時間，僅表示將在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。

隨著這些先進(jìn)工藝的不斷推進(jìn)，半導(dǎo)體行業(yè)的競爭將更加激烈，消費(fèi)者也將有望看到性能更強(qiáng)、功耗更低的電子產(chǎn)品問世。