日前，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究數(shù)據(jù)，2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC（碳化硅）襯底產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。主要與汽車(chē)和工業(yè)需求走弱影響有關(guān)，疊加市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，導(dǎo)致了產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌。

作為目前具有代表性的第三代化合物半導(dǎo)體材料，SiC憑借高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等特性，使其在電力電子器件等應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，并被廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源及軌道交通等領(lǐng)域。

由于中國(guó)企業(yè)的入局，原來(lái)報(bào)價(jià)超過(guò)1000美元SiC襯底價(jià)格快速下降。有報(bào)道指出，2024年6英寸SiC襯底價(jià)格已跌至500美元以下，這一價(jià)格已經(jīng)接近了制造商成本線(xiàn)。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，盡管目前Wolfspeed仍是SiC材料市場(chǎng)最重要的供應(yīng)商，其2024年市占率達(dá)33.7%。但國(guó)內(nèi)企業(yè)TanKeBlue（天科合達(dá)）和SICC（天岳先進(jìn)）已經(jīng)分別以17.3%和17.1%位列第二、三名。憑借低價(jià)，中國(guó)企業(yè)直接沖擊了原有的市場(chǎng)格局。

毫無(wú)疑問(wèn)，這又是一個(gè)中國(guó)企業(yè)把高科技產(chǎn)業(yè)打成“白菜價(jià)”的案例。但在以?xún)r(jià)換量的背后，除了產(chǎn)業(yè)崛起的曙光，也存在內(nèi)卷可能性增加的隱憂(yōu)。

由于電動(dòng)汽車(chē)和光伏發(fā)電市場(chǎng)（SiC襯底的主要應(yīng)用領(lǐng)域）需要一定時(shí)間的驗(yàn)證期，使得客戶(hù)在選擇供應(yīng)商時(shí)會(huì)考慮其穩(wěn)定性。疊加國(guó)內(nèi)SiC襯底產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速的因素，整個(gè)SiC襯底市場(chǎng)已經(jīng)呈現(xiàn)出虛火過(guò)旺的情況，并開(kāi)始向低價(jià)內(nèi)卷的趨勢(shì)發(fā)展。

而一旦陷入了低價(jià)內(nèi)卷，產(chǎn)品的良品率必定會(huì)受到影響。

這一擔(dān)憂(yōu)并非空穴來(lái)風(fēng)，不僅局限于襯底市場(chǎng)，整個(gè)與SiC器件相關(guān)的生態(tài)鏈產(chǎn)能都在不斷提升。

根據(jù)近期士蘭微發(fā)布的SiC項(xiàng)目進(jìn)展公告（簡(jiǎn)稱(chēng)“公告”）顯示，其士蘭明鎵已形成月產(chǎn) 9000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。其Ⅱ代 SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊已經(jīng)在4家國(guó)內(nèi)汽車(chē)廠(chǎng)家累計(jì)出貨量5萬(wàn)只。

但值得注意的是，隨著生態(tài)鏈的不斷完善，國(guó)內(nèi)企業(yè)在價(jià)格內(nèi)卷的同時(shí)，開(kāi)始注重質(zhì)量提升。公告中提及，士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)，Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上試流片成功，良品率明顯高于6吋。