近日，國內(nèi)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的盛會(huì)——MTS 2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)在深圳成功舉辦，本次大會(huì)由知名分析機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢精心策劃。會(huì)上，國內(nèi)存儲(chǔ)巨頭時(shí)創(chuàng)意SCY驚艷亮相，正式發(fā)布了其最新研發(fā)的1TB容量UFS 3.1嵌入式閃存芯片，這一創(chuàng)新成果引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

據(jù)了解，時(shí)創(chuàng)意SCY在此之前已成功推出了128GB至512GB容量的UFS 3.1芯片，而此次推出的1TB款則進(jìn)一步豐富了其高速UFS產(chǎn)品線的容量選擇，彰顯了企業(yè)強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和市場(chǎng)前瞻性。

這款1TB容量的UFS 3.1閃存芯片，尺寸僅為11×13×1.2mm，采用了先進(jìn)的153 ball FBGA封裝技術(shù)，其順序讀寫速度分別高達(dá)2100MB/s和1700MB/s，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)完成大量數(shù)據(jù)的傳輸和處理，為用戶帶來更加流暢的使用體驗(yàn)。同時(shí)，該芯片還具備出色的溫度適應(yīng)性，能夠在-25℃至+85℃的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。

據(jù)時(shí)創(chuàng)意SCY透露，這款1TB UFS 3.1閃存芯片不僅擁有卓越的性能表現(xiàn)，還集成了多項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)特性，包括寫入增強(qiáng)、深度睡眠、性能調(diào)整通知以及主機(jī)性能增強(qiáng)等，進(jìn)一步提升了芯片的穩(wěn)定性和可靠性。該芯片還采用了LDPC3.0 ECC糾錯(cuò)技術(shù)，能夠有效降低數(shù)據(jù)傳輸過程中的錯(cuò)誤率，確保數(shù)據(jù)的完整性和安全性。

這款1TB UFS 3.1閃存芯片的發(fā)布，無疑將為智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR頭顯、無人機(jī)以及安防監(jiān)控等領(lǐng)域帶來全新的存儲(chǔ)解決方案。憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，該芯片有望在未來的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。