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天岳先進推出業(yè)界首款12英寸N型碳化硅襯底,助力清潔能源產(chǎn)業(yè)飛躍

   發(fā)布時間:2024-11-22 15:13 作者:任飛揚

在半導體材料領域,一項重大創(chuàng)新近日由國內(nèi)領先的碳化硅單晶襯底材料制造商天岳先進宣布。該公司在Semicon Europe 2024展覽會上,于德國慕尼黑展示了業(yè)界首款300mm N型碳化硅襯底。

天岳先進指出,隨著全球范圍內(nèi)新能源汽車、光伏儲能、5G通訊以及高壓智能電網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展,對能夠承受高功率、高電壓及高頻率工作環(huán)境的碳化硅基器件的需求呈現(xiàn)出爆炸式增長。這一趨勢對碳化硅材料的質量和產(chǎn)量提出了更高的要求。

此次發(fā)布的300mm碳化硅襯底,意味著在單片晶圓上可用于芯片制造的面積將顯著擴大,從而極大地提升了合格芯片的產(chǎn)量。在相同的生產(chǎn)條件下,這種大尺寸襯底不僅能夠提高生產(chǎn)效率,還能有效降低單位成本,為碳化硅材料的廣泛應用奠定了堅實基礎。

天岳先進自2010年成立以來,一直致力于碳化硅和氮化鎵材料的研發(fā)與生產(chǎn)。其產(chǎn)品涵蓋了4H導電型碳化硅單晶襯底和4H半絕緣型碳化硅單晶襯底,前者用于碳化硅外延層生長,后者則用于氮化鎵外延層生長。目前,天岳先進已經(jīng)能夠提供6英寸和8英寸的導電型襯底,以及4英寸和6英寸的半絕緣型襯底。

此次300mm N型碳化硅襯底的發(fā)布,標志著天岳先進在碳化硅材料領域取得了重大突破,不僅滿足了市場對高性能碳化硅基器件的迫切需求,也為未來的半導體材料發(fā)展開辟了新的道路。

 
 
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